二维材料晶体

         六方氮化硼（Hexagonal Boron Nitride, h-BN）是一种带隙约为 6 eV 的绝缘体，已被广泛用作生产由各种二维半导体（如 WSe2、MoSe2 等）组成的超高迁移率二维异质结构的绝缘体。它的各层通过范德华相互作用堆叠在一起，并可剥离成薄薄的二维层，直至单层 的h-BN。

        HQ Graphene公司生产的 h-BN 晶体的典型横向尺寸约为 0.1 厘米，并且是透明的。h-BN单晶 是一种极佳的绝缘体，其击穿电压非常高（>0.4 V/nm）。

h-BN crystal properties

Crystal size	~1 mm
Electrical properties	Insulator
Crystal structure	Hexagonal
Unit cell parameters	a = b = 0.2502 nm, c = 0.6617 nm, α = β = 90°, γ = 120°
Monolayer properties	Link to C2DB containing calculated properties
Type	Synthetic
Purity	Grade A
Characterized by	XRD, Raman, EDX