二维材料晶体

        2H-MoS₂（2H Molybdenum Disulfide）是一种间接带隙为 1.2 eV 的半导体。单层 MoS₂ 的带隙约为 1.8 eV。它的各层通过范德华相互作用堆叠在一起，并可剥离成薄薄的二维层。二硫化钼属于第六族过渡金属二卤化物（TMDC）。

       我们提供 n -type和 p -type的2H-MoS₂，n-type的MoS₂是未掺杂的，其室温下的电荷载流子密度约为 10¹⁵cm^-3；而p-type的是Nb掺杂的（高掺杂）。

2H-MoS2 crystal properties

Crystal size	~10 mm
Electrical properties	Semiconductor, n-type (undoped), p-type (Nb-doped)
Crystal structure	hexagonal
Unit cell parameters	a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120°
Monolayer properties	Link to C2DB containing calculated properties
Type	Synthetic
Purity	>99.995 %
Characterized by	XRD, Raman, EDX, Hall measurement